La tecnología de frecuencia variable se desarrolló para satisfacer la demanda de regulación de velocidad continua de los motores de CA. A finales de la década de 1950, General Electric Company (GE) de los Estados Unidos introdujo el tiristor (rectificador controlado de silicio, SCR), un componente semiconductor de potencia que proporcionó un hardware básico que hizo época para la tecnología de frecuencia variable.
Entrando en la década de 1970, debido a las limitaciones de la regulación de velocidad de los motores de CC, los motores de CA ganaron popularidad. Impulsada por la creciente demanda del mercado, la tecnología continuó evolucionando y madurando. En 1971, Estados Unidos y Alemania propusieron la tecnología de control vectorial, que permitió que el rendimiento de la regulación de velocidad de CA de los convertidores de frecuencia fuera comparable al de la regulación de velocidad de CC. En 1973, Estados Unidos presentó la electrónica de potencia como una nueva disciplina técnica, siendo su campo de aplicación más grande la regulación de velocidad y los sistemas de transmisión. En 1979, Japón puso en práctica el sistema de regulación de velocidad de frecuencia variable que adoptaba el control vectorial, marcando una nueva etapa en el desarrollo tecnológico.
En la década de 1980, gracias a los avances en los dispositivos de conmutación de semiconductores de potencia y la tecnología microelectrónica, los convertidores de frecuencia lograron un mejor rendimiento y fiabilidad, junto con la reducción de los costes de producción, allanando el camino para su amplia aplicación.
Durante décadas, los dispositivos electrónicos de potencia han evolucionado desde los rectificadores controlados de silicio (SCR) y los tiristores de apagado por puerta (GTO) iniciales, pasando por los transistores de unión bipolar (BJT), los transistores de efecto de campo semiconductor de óxido metálico (MOSFET), los transistores de inducción estática (SIT), los tiristores de inducción estática (SITH), los transistores controlados por MOS (MGT) y los tiristores controlados por MOS (MCT), hasta los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y los transistores bipolares de puerta aislada de alta tensión (HVIGBT) de hoy en día. La actualización de estos dispositivos ha ampliado los campos de aplicación de los variadores de frecuencia (VFD) e impulsado el rápido crecimiento de la escala del mercado.
Entrando en la década de 1980, la tecnología global de variadores de frecuencia (VFD) experimentó una transformación acelerada. Los productos VFD maduros se aplicaron ampliamente en varios sectores de la economía nacional.
A medida que China se convirtió en la fábrica del mundo, el rápido desarrollo de su industria manufacturera creó un espacio de mercado en constante expansión para los productos VFD. Sin embargo, a día de hoy, todavía se puede decir que el mercado nacional de VFD está dominado por marcas extranjeras. Las marcas japonesas, europeas y americanas representan el 80% de la cuota de mercado. En los últimos años, sin embargo, las marcas taiwanesas de VFD también han logrado un buen rendimiento, mientras que las marcas nacionales en su conjunto siguen en una posición relativamente débil.
Una vez rezagadas con respecto a sus homólogos extranjeros por 10–15 años, las marcas nacionales de VFD no solo han logrado importantes avances tecnológicos a través de esfuerzos acelerados de puesta al día en los últimos años, sino que también varios fabricantes se han alineado con los estándares internacionales y han ganado una considerable competitividad corporativa.
Los productores nacionales de VFD como ZONCN, INVT, Ambition y Zhiguang Electric han comenzado a capturar una cuota cada vez mayor del mercado en virtud de sus ventajas de precio. Sin embargo, no se puede negar que el factor central que determina la competitividad de los VFD nacionales reside todavía en sus capacidades tecnológicas.
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